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HBM的高带宽优势主要得益于其3D堆叠封装结构和垂直TSV互连。随着海外大厂纷纷加大对HBM产能的投入，相关先进封装设备市场也获得了显著增量。
晶圆减薄（Backside Thinning），是HBM制造中的关键步骤之一，其目的是将晶圆的厚度减薄，暴露出TSV通孔。晶圆的厚度是决定HBM堆叠层数的最重要原因。JEDEC对HBM堆栈的高度做出了限制。此前，HBM4的厚度已从720μm放宽至775μm，但是如果要容纳12层乃至16层DRAM die，晶圆仍需要被减薄至更薄。此外，随着3D封装日益普及，CIS、MEMS、功率、逻辑等应用对减薄设备的需求也愈加旺盛。
华海清科基于自身对CMP装备领域的深耕和技术积累，开发出适用于先进封装领域和前道晶圆制造背面减薄工艺的减薄装备，12英寸超精密晶圆减薄机Versatile–GP300已取得多个领域头部企业的批量订单，获得客户的高度认可；12英寸晶圆减薄贴膜一体机Versatile–GM300已发往国内头部封测企业进行验证。未来随着HBM市场的持续扩容，公司有望充分受益。
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