电子行业存储芯片周度跟踪：三星电子或建10nm第七代DRAM测试线，存储现货市场横盘为主-甬兴证券-20241225

　　核心观点

　　NAND：群联电子财报指出市场对高容量NAND存储模组产品的需求持续稳健增长。根据DRAMexchange，上周（1216-1220）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.27%至5.00%，平均涨跌幅为0.43%。其中11个料号价格持平，7个料号价格上涨，4个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，群联财报指出，截至11月为止，控制芯片累计总出货量同比增长30%，整体NAND Bit累计出货量年成长率达14%，创历史同期新高，反映出市场对高容量NAND存储模组产品的需求持续稳健增长。

　　DRAM:三星电子抢建10nm第七代DRAM测试线。根据DRAMexchange，上周（1216-1220）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-3.04%至2.12%，平均涨跌幅为-0.33%。上周6个料号呈上涨趋势，10个料号呈下降趋势，2个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，三星准备同步推进第七代DRAM测试线的建设与第六代DRAM的量产准备，计划从2025年初开始在平泽第四工厂（P4）引进设备，生产10纳米级第六代DRAM，并力争在2025年5月获得内部量产批准（PRA）。

　　HBM：南亚科技与PieceMakers合作开发定制化HBM。根据CFM闪存市场，南亚科技与PieceMakers达成战略合作伙伴关系，共同开发定制化超高带宽内存（HBM）解决方案。南亚科技将认购6.6亿新台币的现金增资，预计将收购PieceMakers最多约38%的股份。此次合作将结合南亚科技的10纳米级DRAM创新与PieceMakers在定制DRAM设计方面的专业知识，开发高价值、高性能、低功耗的定制超高带宽内存解决方案，为人工智能和高性能计算市场开启新的机遇。

　　市场端：存储现货市场横盘为主。根据CFM闪存市场，近期存储现货市场仍以横盘为主。具体来看，渠道资源端受控货行为影响令部分资源价格涨跌不一；而行业市场部分特殊市场需求逐渐释出，行业厂商积极促成实单交易；嵌入式方面在POS等应用市场相对活跃带动下，部分低容量eMMC产品备货需求仍有较高热情，但客户开价普遍较低，存储厂商降价出货意愿不强，在无实际提货需求情况下买方多以观望为主。

　　投资建议

　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；

　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

　　风险提示

　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。