核心观点
NAND:群联财报反映市场对高容量NAND存储模组产品的需求持续稳健增长。根据DRAMexchange,上周(1209-1213)NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-5.17%至2.63%,平均涨跌幅为-0.36%。其中6个料号价格持平,5个料号价格上涨,11个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道,群联截至11月为止,控制芯片累计总出货量同比增长30%,整体NAND Bit累计出货量年成长率达14%,创历史同期新高,反映出市场对高容量NAND存储模组产品的需求持续稳健增长。
DRAM:威刚称11月合约价相对平稳,现货市场价格波动也已见收敛。根据DRAMexchange,上周(1209-1213)DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.81%至0.50%,平均涨跌幅为-0.72%。上周4个料号呈上涨趋势,14个料号呈下降趋势,0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道,威刚表示,11月合约价相对平稳,现货市场价格波动也已见收敛,推动DRAM模组、SSD等产品稳健出货。11月单月DRAM模组产品营收贡献达17.44亿元、SSD营收为11.62亿元,均为今年单月第三高。累计1-11月DRAM模组、SSD、存储卡、U盘三大类产品营收均突破去年全年水位,总营收规模较去年同期年增逾二成。
HBM:Marvell推出定制HBM计算架构,提高XPU性能、效率和总拥有成本。根据CFM闪存市场报道,Marvell宣布推出一种新的定制HBM计算架构,使XPU能够实现更高的计算和内存密度,提高其定制XPU的性能、效率和TCO。Marvell正与云客户和领先的HBM制造商美光、三星电子和SK海力士合作,为下一代XPU定义和开发定制HBM解决方案。
市场端:整体价格并无显著变化。根据CFM闪存市场报道,供应端部分资源延续此前“捂货”举措,现货市场便宜货源寥寥无几,存储厂商多以消耗原有库存为主,在无明显需求支撑下库存消化仍然相对有限,整体价格并无显著变化。
投资建议
我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
HBM:受益于算力芯片提振HBM需求,相关产业链有望迎来加速成长,建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等;
存储芯片:受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升,产业链有望探底回升。推荐东芯股份,建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。
风险提示
中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。
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